Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, DIP4, -100V, -1A - IRFD9120PBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.04$ | 2.14$ |
| 5 - 9 | 1.94$ | 2.04$ |
| 10 - 24 | 1.84$ | 1.93$ |
| 25 - 49 | 1.32$ | 1.39$ |
| 50 - 99 | 1.29$ | 1.35$ |
| 100 - 249 | 1.26$ | 1.32$ |
| 250 - 518 | 1.20$ | 1.26$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.04$ | 2.14$ |
| 5 - 9 | 1.94$ | 2.04$ |
| 10 - 24 | 1.84$ | 1.93$ |
| 25 - 49 | 1.32$ | 1.39$ |
| 50 - 99 | 1.29$ | 1.35$ |
| 100 - 249 | 1.26$ | 1.32$ |
| 250 - 518 | 1.20$ | 1.26$ |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, DIP4, -100V, -1A - IRFD9120PBF. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, DIP4, -100V, -1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD9120PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 390pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 10:25.
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