Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.07$ | 2.17$ |
5 - 9 | 1.97$ | 2.07$ |
10 - 24 | 1.91$ | 2.01$ |
25 - 49 | 1.87$ | 1.96$ |
50 - 99 | 1.82$ | 1.91$ |
100 - 249 | 1.60$ | 1.68$ |
250 - 644 | 1.55$ | 1.63$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.07$ | 2.17$ |
5 - 9 | 1.97$ | 2.07$ |
10 - 24 | 1.91$ | 2.01$ |
25 - 49 | 1.87$ | 1.96$ |
50 - 99 | 1.82$ | 1.91$ |
100 - 249 | 1.60$ | 1.68$ |
250 - 644 | 1.55$ | 1.63$ |
Transistor canal P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF9Z34NS. Transistor canal P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 620pF. C (out): 280pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 54ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Protection G-S: non. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 14A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 15/06/2025, 16:25.
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