Transistor canal P, 10A, 250uA, TO-220, 60V - AP9575GP
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 13.17$ | 13.83$ |
| 2 - 2 | 12.51$ | 13.14$ |
| 3 - 4 | 11.85$ | 12.44$ |
| 5 - 9 | 11.20$ | 11.76$ |
| 10 - 19 | 10.93$ | 11.48$ |
| 20 - 29 | 10.67$ | 11.20$ |
| 30+ | 10.27$ | 10.78$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 13.17$ | 13.83$ |
| 2 - 2 | 12.51$ | 13.14$ |
| 3 - 4 | 11.85$ | 12.44$ |
| 5 - 9 | 11.20$ | 11.76$ |
| 10 - 19 | 10.93$ | 11.48$ |
| 20 - 29 | 10.67$ | 11.20$ |
| 30+ | 10.27$ | 10.78$ |
Transistor canal P, 10A, 250uA, TO-220, 60V - AP9575GP. Transistor canal P, 10A, 250uA, TO-220, 60V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 16A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Tension grille/source Vgs: 25V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.
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