Transistor canal P, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v - AO4427

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.36$	1.43$
5 - 9	1.29$	1.35$
10 - 24	1.23$	1.29$
25 - 49	1.16$	1.22$
50 - 99	1.13$	1.19$
100 - 249	1.10$	1.16$
250 - 341	1.05$	1.10$

Quantité	U.P
1 - 4	1.36$	1.43$
5 - 9	1.29$	1.35$
10 - 24	1.23$	1.29$
25 - 49	1.16$	1.22$
50 - 99	1.13$	1.19$
100 - 249	1.10$	1.16$
250 - 341	1.05$	1.10$

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Transistor canal P, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v - AO4427. Transistor canal P, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2330pF. C (out): 480pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: FET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 10.5A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. Résistance passante Rds On: 0.0094 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 20:25.

Documentation technique