Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.65$ | 0.68$ |
10 - 24 | 0.61$ | 0.64$ |
25 - 49 | 0.58$ | 0.61$ |
50 - 99 | 0.55$ | 0.58$ |
100 - 249 | 0.54$ | 0.57$ |
250 - 360 | 0.48$ | 0.50$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.65$ | 0.68$ |
10 - 24 | 0.61$ | 0.64$ |
25 - 49 | 0.58$ | 0.61$ |
50 - 99 | 0.55$ | 0.58$ |
100 - 249 | 0.54$ | 0.57$ |
250 - 360 | 0.48$ | 0.50$ |
Transistor canal P, 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3401A. Transistor canal P, 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 933pF. C (out): 108pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 21 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 25A. Id (T=100°C): 3.8A. Idss (min): 1uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 5.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 20:25.
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