Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 8.35$ | 8.77$ |
2 - 2 | 7.93$ | 8.33$ |
3 - 4 | 7.52$ | 7.90$ |
5 - 9 | 7.10$ | 7.46$ |
10 - 19 | 6.93$ | 7.28$ |
20 - 29 | 6.76$ | 7.10$ |
30+ | 6.51$ | 6.84$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.35$ | 8.77$ |
2 - 2 | 7.93$ | 8.33$ |
3 - 4 | 7.52$ | 7.90$ |
5 - 9 | 7.10$ | 7.46$ |
10 - 19 | 6.93$ | 7.28$ |
20 - 29 | 6.76$ | 7.10$ |
30+ | 6.51$ | 6.84$ |
Transistor canal P, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V - 2SJ598. Transistor canal P, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 720pF. C (out): 150pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: diode de protection intégrée. Id(imp): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 23W. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Technologie: Transistor à effet de champ MOS à canal P. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 20:25.
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