Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.05$ | 1.10$ |
5 - 9 | 0.99$ | 1.04$ |
10 - 24 | 0.96$ | 1.01$ |
25 - 49 | 0.94$ | 0.99$ |
50 - 99 | 0.92$ | 0.97$ |
100 - 249 | 0.89$ | 0.93$ |
250 - 492 | 0.96$ | 1.01$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.05$ | 1.10$ |
5 - 9 | 0.99$ | 1.04$ |
10 - 24 | 0.96$ | 1.01$ |
25 - 49 | 0.94$ | 0.99$ |
50 - 99 | 0.92$ | 0.97$ |
100 - 249 | 0.89$ | 0.93$ |
250 - 492 | 0.96$ | 1.01$ |
Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T. Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. RoHS: oui. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -70V. C (in): -10A. C (out): 90W. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 15/06/2025, 16:25.
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