Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V - MJD45H11T4G
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.56$ | 1.64$ |
| 5 - 9 | 1.48$ | 1.55$ |
| 10 - 24 | 1.41$ | 1.48$ |
| 25 - 49 | 1.33$ | 1.40$ |
| 50 - 99 | 1.30$ | 1.37$ |
| 100 - 151 | 1.14$ | 1.20$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.56$ | 1.64$ |
| 5 - 9 | 1.48$ | 1.55$ |
| 10 - 24 | 1.41$ | 1.48$ |
| 25 - 49 | 1.33$ | 1.40$ |
| 50 - 99 | 1.30$ | 1.37$ |
| 100 - 151 | 1.14$ | 1.20$ |
Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V - MJD45H11T4G. Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): DPAK CASE 369C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 45pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 85 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 45H11G. Equivalences: MJD45H11G, MJD45H11J. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf (type): 140 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJD45H11T4G. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 10:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.