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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V - BU4525AX

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V - BU4525AX
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V - BU4525AX. Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV/Monitor. Dissipation de puissance maxi: 55W. Spec info: 'CTV-HA' (isolé). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Produit d'origine constructeur Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 01/08/2025, 10:25.

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Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Date de production: 2014/17. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 21A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V
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Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Date de production: 2014/17. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 21A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V
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