Transistor NPN, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V - BFW92A

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.78$	0.82$
5 - 9	0.74$	0.78$
10 - 24	0.70$	0.74$
25 - 49	0.66$	0.69$
50 - 99	0.43$	0.45$
100 - 249	0.42$	0.44$
250 - 736	0.40$	0.42$

Quantité	U.P
1 - 4	0.78$	0.82$
5 - 9	0.74$	0.78$
10 - 24	0.70$	0.74$
25 - 49	0.66$	0.69$
50 - 99	0.43$	0.45$
100 - 249	0.42$	0.44$
250 - 736	0.40$	0.42$

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Transistor NPN, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V - BFW92A. Transistor NPN, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Boîtier: TO-50. Courant de collecteur: 0.025A. Boîtier (selon fiche technique): TO-50-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Résistance B: non. Diode BE: transistor NPN haute fréquence. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé (CMS). C (in): TO-50. Diode CE: composant monté en surface (CMS). Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3.2GHz. Fonction: Amplificateur RF large bande jusqu'à la gamme GHz.. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Spec info: 'Planar RF Transistor'. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 11:25.

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