Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B

Quantité (Lot de 10)	HT	TTC
1 - 4	0.43$	0.45$
5 - 9	0.41$	0.43$
10 - 24	0.38$	0.40$
25 - 49	0.36$	0.38$
50 - 99	0.34$	0.36$
100 - 149	0.32$	0.34$
150 - 25089	0.30$	0.32$

Quantité (Lot de 10)	U.P
1 - 4	0.43$	0.45$
5 - 9	0.41$	0.43$
10 - 24	0.38$	0.40$
25 - 49	0.36$	0.38$
50 - 99	0.34$	0.36$
100 - 149	0.32$	0.34$
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Lot de 10

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B. Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. C (out): 4.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3B. Equivalences: ON Semiconductor BC856BLT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 3B. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 22:25.

Documentation technique