Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.92$ | 0.97$ |
5 - 9 | 0.88$ | 0.92$ |
10 - 24 | 0.83$ | 0.87$ |
25 - 49 | 0.78$ | 0.82$ |
50 - 99 | 0.77$ | 0.81$ |
100 - 249 | 0.75$ | 0.79$ |
250 - 284 | 0.74$ | 0.78$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.92$ | 0.97$ |
5 - 9 | 0.88$ | 0.92$ |
10 - 24 | 0.83$ | 0.87$ |
25 - 49 | 0.78$ | 0.82$ |
50 - 99 | 0.77$ | 0.81$ |
100 - 249 | 0.75$ | 0.79$ |
250 - 284 | 0.74$ | 0.78$ |
Transistor PNP, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303. Transistor PNP, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -60V. C (in): -0.5A. C (out): 0.85W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.65 MHz. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.85W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Type de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tension de saturation VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 22:25.
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