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Transistor NPN, 0.3A, 32V - 2SC1545

Transistor NPN, 0.3A, 32V - 2SC1545
Quantité HT TTC
1 - 4 2.55$ 2.68$
5 - 9 2.42$ 2.54$
10 - 24 2.35$ 2.47$
25 - 49 2.30$ 2.42$
50 - 99 2.24$ 2.35$
100 - 249 2.17$ 2.28$
250+ 2.09$ 2.19$
Quantité U.P
1 - 4 2.55$ 2.68$
5 - 9 2.42$ 2.54$
10 - 24 2.35$ 2.47$
25 - 49 2.30$ 2.42$
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Transistor NPN, 0.3A, 32V - 2SC1545. Transistor NPN, 0.3A, 32V. Courant de collecteur: 0.3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 5000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 1.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur ROHM. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 19:25.

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Quantité en stock : 1047
BC517

BC517

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon ...
BC517
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200MHz. Gain hFE mini: 30000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC516. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 10V
BC517
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200MHz. Gain hFE mini: 30000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC516. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 10V
Lot de 1
0.29$ TTC
(0.28$ HT)
0.29$
Quantité en stock : 1952
BC517_D74Z

BC517_D74Z

Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v, 30V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: ...
BC517_D74Z
Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v, 30V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200MHz. Gain hFE mini: 30000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC516. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 0.625W
BC517_D74Z
Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v, 30V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200MHz. Gain hFE mini: 30000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC516. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 0.625W
Lot de 1
0.43$ TTC
(0.41$ HT)
0.43$

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