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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 150V - 2SA1124

Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 150V - 2SA1124
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1 - 4 3.80$ 3.99$
5 - 9 3.61$ 3.79$
10 - 24 3.49$ 3.66$
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250+ 3.11$ 3.27$
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Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 150V - 2SA1124. Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 330. Gain hFE mini: 185. Ic(puls): 0.1A. Marquage sur le boîtier: A1124 S. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Panasonic. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 20:25.

Documentation technique

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Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Remarque: 9mm. Marquage sur le boîtier: A1145 O. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2705. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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Lot de 1
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Transistor PNP, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V. Courant de collecteur: 0.07A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--MP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation haute tension. Ic(puls): 0.14A. Remarque: hauteur 9mm. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2910. Type de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.14V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V
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Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. C (in): 1.7pF. C (out): 2.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: vidéo. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V
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