Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.49$ | 0.51$ |
10 - 24 | 0.46$ | 0.48$ |
25 - 49 | 0.44$ | 0.46$ |
50 - 99 | 0.41$ | 0.43$ |
100 - 249 | 0.40$ | 0.42$ |
250 - 256 | 0.36$ | 0.38$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.49$ | 0.51$ |
10 - 24 | 0.46$ | 0.48$ |
25 - 49 | 0.44$ | 0.46$ |
50 - 99 | 0.41$ | 0.43$ |
100 - 249 | 0.40$ | 0.42$ |
250 - 256 | 0.36$ | 0.38$ |
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - 2N5210. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 4.5V. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 21:25.
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