Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 4.59$ | 4.82$ |
5 - 9 | 4.36$ | 4.58$ |
10 - 24 | 4.13$ | 4.34$ |
25 - 49 | 3.90$ | 4.10$ |
50 - 99 | 3.81$ | 4.00$ |
100 - 249 | 3.72$ | 3.91$ |
250 - 1884 | 3.58$ | 3.76$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.59$ | 4.82$ |
5 - 9 | 4.36$ | 4.58$ |
10 - 24 | 4.13$ | 4.34$ |
25 - 49 | 3.90$ | 4.10$ |
50 - 99 | 3.81$ | 4.00$ |
100 - 249 | 3.72$ | 3.91$ |
250 - 1884 | 3.58$ | 3.76$ |
Transistor canal N, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - TK7P60W. Transistor canal N, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 470pF. C (out): 13pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 230 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: pour régulateurs à découpage. Id(imp): 28A. Marquage sur le boîtier: TK7P60W. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.
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