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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - SUD15N06-90L

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5 - 9 4.90$ 5.15$
10 - 24 4.64$ 4.87$
25 - 49 4.38$ 4.60$
50 - 99 4.28$ 4.49$
100 - 249 4.17$ 4.38$
250+ 4.02$ 4.22$
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Transistor canal N, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - SUD15N06-90L. Transistor canal N, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 15A. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Dissipation de puissance maxi: 37W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Nombre de connexions: 3. Technologie: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.

Documentation technique

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Transistor canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
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