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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW43NM60N

Transistor canal N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW43NM60N
Quantité HT TTC
1 - 1 23.90$ 25.10$
2 - 2 22.70$ 23.84$
3 - 4 22.22$ 23.33$
5 - 9 21.51$ 22.59$
10 - 14 21.03$ 22.08$
15 - 19 20.31$ 21.33$
20+ 19.59$ 20.57$
Quantité U.P
1 - 1 23.90$ 25.10$
2 - 2 22.70$ 23.84$
3 - 4 22.22$ 23.33$
5 - 9 21.51$ 22.59$
10 - 14 21.03$ 22.08$
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Transistor canal N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW43NM60N. Transistor canal N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 35A. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Idm--140Ap(pulsed). Dissipation de puissance maxi: 255W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: MDmesh II. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 10:25.

Documentation technique

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STW45NM60
Transistor canal N, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 3800pF. C (out): 1250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 508 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: W45NM60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 417W. RoHS: oui. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
STW45NM60
Transistor canal N, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 3800pF. C (out): 1250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 508 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: W45NM60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 417W. RoHS: oui. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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