Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 5.91$ | 6.21$ |
5 - 9 | 5.62$ | 5.90$ |
10 - 24 | 5.32$ | 5.59$ |
25 - 49 | 5.03$ | 5.28$ |
50 - 99 | 5.01$ | 5.26$ |
100 - 146 | 4.83$ | 5.07$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 5.91$ | 6.21$ |
5 - 9 | 5.62$ | 5.90$ |
10 - 24 | 5.32$ | 5.59$ |
25 - 49 | 5.03$ | 5.28$ |
50 - 99 | 5.01$ | 5.26$ |
100 - 146 | 4.83$ | 5.07$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30 - STW20NK50Z. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 500V. Boîtier (norme JEDEC): 30. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: W20NK50Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Dissipation de puissance maxi: 190W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 20:25.
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