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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal N, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V - STW11NK90Z. Transistor canal N, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 5.8A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.82 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 3000pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 584 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W11NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 76 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.

Documentation technique

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