Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.94$ | 3.09$ |
5 - 9 | 2.80$ | 2.94$ |
10 - 24 | 2.65$ | 2.78$ |
25 - 49 | 2.50$ | 2.63$ |
50 - 99 | 2.44$ | 2.56$ |
100 - 249 | 2.38$ | 2.50$ |
250+ | 2.27$ | 2.38$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.94$ | 3.09$ |
5 - 9 | 2.80$ | 2.94$ |
10 - 24 | 2.65$ | 2.78$ |
25 - 49 | 2.50$ | 2.63$ |
50 - 99 | 2.44$ | 2.56$ |
100 - 249 | 2.38$ | 2.50$ |
250+ | 2.27$ | 2.38$ |
Transistor canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP10NK60Z. Transistor canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 115W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 10:25.
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