Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.66$ | 1.74$ |
5 - 9 | 1.58$ | 1.66$ |
10 - 24 | 1.49$ | 1.56$ |
25 - 49 | 1.41$ | 1.48$ |
50 - 99 | 1.38$ | 1.45$ |
100 - 249 | 1.34$ | 1.41$ |
250 - 348 | 1.28$ | 1.34$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.66$ | 1.74$ |
5 - 9 | 1.58$ | 1.66$ |
10 - 24 | 1.49$ | 1.56$ |
25 - 49 | 1.41$ | 1.48$ |
50 - 99 | 1.38$ | 1.45$ |
100 - 249 | 1.34$ | 1.41$ |
250 - 348 | 1.28$ | 1.34$ |
Transistor canal N, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v - SPD28N03L. Transistor canal N, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 790pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 32 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 112A. Marquage sur le boîtier: 28N03L. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 12 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.6V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 19:25.
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