Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71$ | 1.80$ |
5 - 9 | 1.63$ | 1.71$ |
10 - 24 | 1.54$ | 1.62$ |
25 - 49 | 1.46$ | 1.53$ |
50 - 99 | 1.42$ | 1.49$ |
100 - 249 | 1.39$ | 1.46$ |
250 - 455 | 1.32$ | 1.39$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71$ | 1.80$ |
5 - 9 | 1.63$ | 1.71$ |
10 - 24 | 1.54$ | 1.62$ |
25 - 49 | 1.46$ | 1.53$ |
50 - 99 | 1.42$ | 1.49$ |
100 - 249 | 1.39$ | 1.46$ |
250 - 455 | 1.32$ | 1.39$ |
Transistor canal N, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V - SPD09N05. Transistor canal N, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.093 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 215pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Id(imp): 37A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: SPD09N05. Dissipation de puissance maxi: 24W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 17:25.
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