Transistor canal N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v - SIR474DP

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.05$	3.20$
5 - 9	2.90$	3.05$
10 - 24	2.74$	2.88$
25 - 49	2.59$	2.72$
50 - 89	2.53$	2.66$

Quantité	U.P
1 - 4	3.05$	3.20$
5 - 9	2.90$	3.05$
10 - 24	2.74$	2.88$
25 - 49	2.59$	2.72$
50 - 89	2.53$	2.66$

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Transistor canal N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v - SIR474DP. Transistor canal N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0075 Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 985pF. C (out): 205pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 14 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'High-Side Switch'. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 196k Ohms. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 29.8W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 05:25.

Documentation technique