Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A - SI2308BDS-T1-GE3

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.52$	0.55$
5 - 9	0.50$	0.53$
10 - 24	0.47$	0.49$
25 - 49	0.45$	0.47$
50 - 99	0.43$	0.45$
100 - 249	0.42$	0.44$
250 - 8043	0.40$	0.42$

Quantité	U.P
1 - 4	0.52$	0.55$
5 - 9	0.50$	0.53$
10 - 24	0.47$	0.49$
25 - 49	0.45$	0.47$
50 - 99	0.43$	0.45$
100 - 249	0.42$	0.44$
250 - 8043	0.40$	0.42$

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A - SI2308BDS-T1-GE3. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.66W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 07:25.

Documentation technique