Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.76$ | 2.90$ |
5 - 9 | 2.62$ | 2.75$ |
10 - 24 | 2.54$ | 2.67$ |
25 - 49 | 2.48$ | 2.60$ |
50 - 99 | 2.43$ | 2.55$ |
100 - 249 | 2.35$ | 2.47$ |
250 - 779 | 2.26$ | 2.37$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.76$ | 2.90$ |
5 - 9 | 2.62$ | 2.75$ |
10 - 24 | 2.54$ | 2.67$ |
25 - 49 | 2.48$ | 2.60$ |
50 - 99 | 2.43$ | 2.55$ |
100 - 249 | 2.35$ | 2.47$ |
250 - 779 | 2.26$ | 2.37$ |
Transistor canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V - P2804BDG. Transistor canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 790pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amélioration du niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 16:25.
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