Transistor canal N, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V - MMBFJ309

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.48$	0.50$
10 - 24	0.45$	0.47$
25 - 49	0.43$	0.45$
50 - 99	0.41$	0.43$
100 - 249	0.40$	0.42$
250 - 499	0.39$	0.41$
500 - 2640	0.34$	0.36$

Quantité	U.P
1 - 9	0.48$	0.50$
10 - 24	0.45$	0.47$
25 - 49	0.43$	0.45$
50 - 99	0.41$	0.43$
100 - 249	0.40$	0.42$
250 - 499	0.39$	0.41$
500 - 2640	0.34$	0.36$

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Transistor canal N, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V - MMBFJ309. Transistor canal N, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 30mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Type de transistor: FET. Fonction: VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer. Idss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 6U. Dissipation de puissance maxi: 12mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 6U. Unité de conditionnement: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 23:25.

Documentation technique