Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 36.39$ | 38.21$ |
2 - 2 | 34.57$ | 36.30$ |
3 - 4 | 33.85$ | 35.54$ |
5 - 9 | 33.12$ | 34.78$ |
10 - 14 | 32.75$ | 34.39$ |
15 - 19 | 32.39$ | 34.01$ |
20 - 29 | 42.86$ | 45.00$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 36.39$ | 38.21$ |
2 - 2 | 34.57$ | 36.30$ |
3 - 4 | 33.85$ | 35.54$ |
5 - 9 | 33.12$ | 34.78$ |
10 - 14 | 32.75$ | 34.39$ |
15 - 19 | 32.39$ | 34.01$ |
20 - 29 | 42.86$ | 45.00$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264AA, 25, 500V, 44A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V - IXFK48N50. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264AA, 25, 500V, 44A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Boîtier (norme JEDEC): 25. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 500V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK48N50. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 8400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 500W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur IXYS. Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 19:25.
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