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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V - IXFH32N50

Transistor canal N, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V - IXFH32N50
Quantité HT TTC
1 - 1 31.24$ 32.80$
2 - 2 29.67$ 31.15$
3 - 4 28.11$ 29.52$
5 - 9 26.55$ 27.88$
10 - 14 25.93$ 27.23$
15 - 19 25.30$ 26.57$
20+ 24.36$ 25.58$
Quantité U.P
1 - 1 31.24$ 32.80$
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Transistor canal N, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V - IXFH32N50. Transistor canal N, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Tension Vds(max): 500V. C (in): 5700pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 128A. Idss (min): 200uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 360W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 07:25.

Documentation technique

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