Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 47.47$ | 49.84$ |
2 - 2 | 45.10$ | 47.36$ |
3 - 4 | 42.72$ | 44.86$ |
5 - 9 | 40.35$ | 42.37$ |
10 - 14 | 39.40$ | 41.37$ |
15 - 19 | 38.45$ | 40.37$ |
20 - 33 | 37.03$ | 38.88$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 47.47$ | 49.84$ |
2 - 2 | 45.10$ | 47.36$ |
3 - 4 | 42.72$ | 44.86$ |
5 - 9 | 40.35$ | 42.37$ |
10 - 14 | 39.40$ | 41.37$ |
15 - 19 | 38.45$ | 40.37$ |
20 - 33 | 37.03$ | 38.88$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AD, 800V, 13A - IXFH13N80. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AD, 800V, 13A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFH13N80. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 63 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 07:25.
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