Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 60V, 2.5A - IRLD024PBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.22$ | 2.33$ |
| 5 - 9 | 2.11$ | 2.22$ |
| 10 - 24 | 2.00$ | 2.10$ |
| 25 - 49 | 1.89$ | 1.98$ |
| 50 - 99 | 1.84$ | 1.93$ |
| 100 - 249 | 1.80$ | 1.89$ |
| 250 - 270 | 1.71$ | 1.80$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.22$ | 2.33$ |
| 5 - 9 | 2.11$ | 2.22$ |
| 10 - 24 | 2.00$ | 2.10$ |
| 25 - 49 | 1.89$ | 1.98$ |
| 50 - 99 | 1.84$ | 1.93$ |
| 100 - 249 | 1.80$ | 1.89$ |
| 250 - 270 | 1.71$ | 1.80$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 60V, 2.5A - IRLD024PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 60V, 2.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRLD024PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 11:25.
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