Transistor canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V - IRLD024

Transistor canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V - IRLD024. Transistor canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): HVMDIP ( DIP-4 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 870pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Divers: Dynamic dv/dt Rating. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Commutation rapide, commande de porte au niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 11:25.