Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 12.78$ | 13.42$ |
2 - 2 | 12.14$ | 12.75$ |
3 - 4 | 11.50$ | 12.08$ |
5 - 9 | 10.86$ | 11.40$ |
10 - 19 | 10.61$ | 11.14$ |
20 - 29 | 10.35$ | 10.87$ |
30 - 68 | 9.97$ | 10.47$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 12.78$ | 13.42$ |
2 - 2 | 12.14$ | 12.75$ |
3 - 4 | 11.50$ | 12.08$ |
5 - 9 | 10.86$ | 11.40$ |
10 - 19 | 10.61$ | 11.14$ |
20 - 29 | 10.35$ | 10.87$ |
30 - 68 | 9.97$ | 10.47$ |
Transistor canal N, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 40V - IRLBA1304P. Transistor canal N, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 40V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 185A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Boîtier: SUPER-220. Boîtier (selon fiche technique): SUPER220. Tension Vds(max): 40V. C (in): 7660pF. C (out): 2150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 740A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 21 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 11:25.
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