Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.78$ | 1.87$ |
5 - 9 | 1.69$ | 1.77$ |
10 - 24 | 1.60$ | 1.68$ |
25 - 49 | 1.51$ | 1.59$ |
50 - 99 | 1.47$ | 1.54$ |
100 - 249 | 1.44$ | 1.51$ |
250 - 864 | 1.37$ | 1.44$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.78$ | 1.87$ |
5 - 9 | 1.69$ | 1.77$ |
10 - 24 | 1.60$ | 1.68$ |
25 - 49 | 1.51$ | 1.59$ |
50 - 99 | 1.47$ | 1.54$ |
100 - 249 | 1.44$ | 1.51$ |
250 - 864 | 1.37$ | 1.44$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 100V, 6.6A - IRFR120NPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 100V, 6.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR1205N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 22:25.
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