Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 13.72$ | 14.41$ |
2 - 2 | 13.03$ | 13.68$ |
3 - 4 | 12.35$ | 12.97$ |
5 - 9 | 11.66$ | 12.24$ |
10 - 19 | 11.39$ | 11.96$ |
20 - 20 | 11.11$ | 11.67$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 13.72$ | 14.41$ |
2 - 2 | 13.03$ | 13.68$ |
3 - 4 | 12.35$ | 12.97$ |
5 - 9 | 11.66$ | 12.24$ |
10 - 19 | 11.39$ | 11.96$ |
20 - 20 | 11.11$ | 11.67$ |
Transistor canal N, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V - IRFP27N60KPBF. Transistor canal N, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4660pF. C (out): 460pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. Idss (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 21:25.
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