Transistor canal N, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4110PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 1	3.04$	3.19$
2 - 2	2.89$	3.03$
3 - 4	2.74$	2.88$
5 - 9	2.59$	2.72$
10 - 19	2.53$	2.66$
20 - 29	2.47$	2.59$
30 - 184	2.37$	2.49$

Quantité	U.P
1 - 1	3.04$	3.19$
2 - 2	2.89$	3.03$
3 - 4	2.74$	2.88$
5 - 9	2.59$	2.72$
10 - 19	2.53$	2.66$
20 - 29	2.47$	2.59$
30 - 184	2.37$	2.49$

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Transistor canal N, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4110PBF. Transistor canal N, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.7m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 9620pF. C (out): 670pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 670A. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 370W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Poids: 1.99g. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 02/05/2025, 07:25.

Documentation technique