Transistor canal N, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3306PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.26$	3.42$
5 - 9	3.10$	3.26$
10 - 24	2.94$	3.09$
25 - 49	2.77$	2.91$
50 - 99	2.71$	2.85$
100 - 110	2.38$	2.50$

Quantité	U.P
1 - 4	3.26$	3.42$
5 - 9	3.10$	3.26$
10 - 24	2.94$	3.09$
25 - 49	2.77$	2.91$
50 - 99	2.71$	2.85$
100 - 110	2.38$	2.50$

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Transistor canal N, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3306PBF. Transistor canal N, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.3M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 4520pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 31 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 620A. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 02/05/2025, 07:25.

Documentation technique