Transistor canal N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3006

Quantité	HT	TTC
1 - 1	10.25$	10.76$
2 - 2	9.74$	10.23$
3 - 4	9.23$	9.69$
5 - 9	8.72$	9.16$
10 - 19	8.51$	8.94$
20 - 29	8.31$	8.73$
30 - 31	8.00$	8.40$

Quantité	U.P
1 - 1	10.25$	10.76$
2 - 2	9.74$	10.23$
3 - 4	9.23$	9.69$
5 - 9	8.72$	9.16$
10 - 19	8.51$	8.94$
20 - 29	8.31$	8.73$
30 - 31	8.00$	8.40$

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Transistor canal N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3006. Transistor canal N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 190A. Id (T=25°C): 270A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0021 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 8970pF. C (out): 1020pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 44 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 1080A. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 375W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 01/05/2025, 10:25.

Documentation technique