Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 24A - IRF8788PBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.21$ | 2.32$ |
| 5 - 9 | 2.10$ | 2.21$ |
| 10 - 24 | 1.99$ | 2.09$ |
| 25 - 49 | 1.88$ | 1.97$ |
| 50 - 99 | 1.84$ | 1.93$ |
| 100 - 136 | 1.79$ | 1.88$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.21$ | 2.32$ |
| 5 - 9 | 2.10$ | 2.21$ |
| 10 - 24 | 1.99$ | 2.09$ |
| 25 - 49 | 1.88$ | 1.97$ |
| 50 - 99 | 1.84$ | 1.93$ |
| 100 - 136 | 1.79$ | 1.88$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 24A - IRF8788PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 24A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F8788. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5720pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 01/05/2025, 10:25.
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