Transistor canal N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF8707G

Transistor canal N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF8707G. Transistor canal N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.142 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 760pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 88A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: IRF8707G. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 7.3 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 01/05/2025, 09:25.