Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.79$ | 1.88$ |
5 - 9 | 1.70$ | 1.79$ |
10 - 24 | 1.61$ | 1.69$ |
25 - 49 | 1.52$ | 1.60$ |
50 - 99 | 1.49$ | 1.56$ |
100 - 112 | 1.28$ | 1.34$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.79$ | 1.88$ |
5 - 9 | 1.70$ | 1.79$ |
10 - 24 | 1.61$ | 1.69$ |
25 - 49 | 1.52$ | 1.60$ |
50 - 99 | 1.49$ | 1.56$ |
100 - 112 | 1.28$ | 1.34$ |
Transistor canal N, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF820. Transistor canal N, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (out): 92pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 33 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. C (in): 360pF. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 21:25.
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