Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 10.8A - IRF7811AVPBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.22$	2.33$
5 - 9	2.11$	2.22$
10 - 24	2.00$	2.10$
25 - 49	1.89$	1.98$
50 - 61	1.84$	1.93$

Quantité	U.P
1 - 4	2.22$	2.33$
5 - 9	2.11$	2.22$
10 - 24	2.00$	2.10$
25 - 49	1.89$	1.98$
50 - 61	1.84$	1.93$

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 10.8A - IRF7811AVPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 10.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10.8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7811. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1801pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 01/05/2025, 05:25.

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