Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.37$ | 2.49$ |
5 - 9 | 2.25$ | 2.36$ |
10 - 24 | 2.13$ | 2.24$ |
25 - 49 | 2.01$ | 2.11$ |
50 - 99 | 1.97$ | 2.07$ |
100 - 135 | 1.81$ | 1.90$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.37$ | 2.49$ |
5 - 9 | 2.25$ | 2.36$ |
10 - 24 | 2.13$ | 2.24$ |
25 - 49 | 2.01$ | 2.11$ |
50 - 99 | 1.97$ | 2.07$ |
100 - 135 | 1.81$ | 1.90$ |
Transistor canal N, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF740. Transistor canal N, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET de puissance à commutation rapide. Id(imp): 40A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 22:25.
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