Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A - IRF7313PBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.67$ | 2.80$ |
| 5 - 9 | 2.53$ | 2.66$ |
| 10 - 24 | 2.40$ | 2.52$ |
| 25 - 49 | 2.27$ | 2.38$ |
| 50 - 99 | 1.82$ | 1.91$ |
| 100 - 223 | 1.78$ | 1.87$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.67$ | 2.80$ |
| 5 - 9 | 2.53$ | 2.66$ |
| 10 - 24 | 2.40$ | 2.52$ |
| 25 - 49 | 2.27$ | 2.38$ |
| 50 - 99 | 1.82$ | 1.91$ |
| 100 - 223 | 1.78$ | 1.87$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A - IRF7313PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7313. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 01/05/2025, 05:25.
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