Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A - IRF7309TRPBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.30$	1.37$
5 - 9	1.24$	1.30$
10 - 24	1.17$	1.23$
25 - 49	1.11$	1.17$
50 - 99	1.08$	1.13$
100 - 249	1.05$	1.10$
250 - 4614	1.03$	1.08$

Quantité	U.P
1 - 4	1.30$	1.37$
5 - 9	1.24$	1.30$
10 - 24	1.17$	1.23$
25 - 49	1.11$	1.17$
50 - 99	1.08$	1.13$
100 - 249	1.05$	1.10$
250 - 4614	1.03$	1.08$

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A - IRF7309TRPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7309. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22/25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 520/440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 01/05/2025, 03:25.

Documentation technique