Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 18A, 150W - IRF640NPBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.35$	1.42$
5 - 9	1.28$	1.34$
10 - 24	1.22$	1.28$
25 - 49	1.15$	1.21$
50 - 99	1.12$	1.18$
100 - 249	1.09$	1.14$
250 - 1695	1.04$	1.09$

Quantité	U.P
1 - 4	1.35$	1.42$
5 - 9	1.28$	1.34$
10 - 24	1.22$	1.28$
25 - 49	1.15$	1.21$
50 - 99	1.12$	1.18$
100 - 249	1.09$	1.14$
250 - 1695	1.04$	1.09$

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 18A, 150W - IRF640NPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 18A, 150W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Boîtier (norme JEDEC): 150W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF640NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 01/05/2025, 00:25.

Documentation technique