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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW20N120R3

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW20N120R3
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Quantité HT TTC
1 - 1 11.54$ 12.12$
2 - 2 10.97$ 11.52$
3 - 4 10.62$ 11.15$
5 - 9 10.39$ 10.91$
10 - 19 10.16$ 10.67$
20 - 29 9.81$ 10.30$
30+ 9.47$ 9.94$
Quantité U.P
1 - 1 11.54$ 12.12$
2 - 2 10.97$ 11.52$
3 - 4 10.62$ 11.15$
5 - 9 10.39$ 10.91$
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Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW20N120R3. Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1503pF. C (out): 50pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Cuisson par induction. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20R1203. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 387 ns. Td(on): 359 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.48V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 10:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 48
IHW20N120R5

IHW20N120R5

Transistor canal N, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (s...
IHW20N120R5
Transistor canal N, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1340pF. C (out): 43pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 90 ns. Fonction: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20MR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 288W. RoHS: oui. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 350 ns. Td(on): 260 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.55V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.75V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V
IHW20N120R5
Transistor canal N, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1340pF. C (out): 43pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 90 ns. Fonction: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20MR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 288W. RoHS: oui. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 350 ns. Td(on): 260 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.55V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.75V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V
Lot de 1
9.29$ TTC
(8.85$ HT)
9.29$

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