Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF8N80C

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.25$	3.41$
5 - 9	3.09$	3.24$
10 - 24	2.92$	3.07$
25 - 49	2.76$	2.90$
50 - 99	2.70$	2.84$
100 - 249	1.50$	1.58$
250 - 704	0.57$	0.60$

Quantité	U.P
1 - 4	3.25$	3.41$
5 - 9	3.09$	3.24$
10 - 24	2.92$	3.07$
25 - 49	2.76$	2.90$
50 - 99	2.70$	2.84$
100 - 249	1.50$	1.58$
250 - 704	0.57$	0.60$

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Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF8N80C. Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1580pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Date de production: 201432. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 59W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 22:25.

Documentation technique