Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.32$ | 2.44$ |
5 - 9 | 2.21$ | 2.32$ |
10 - 24 | 2.09$ | 2.19$ |
25 - 25 | 1.97$ | 2.07$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.32$ | 2.44$ |
5 - 9 | 2.21$ | 2.32$ |
10 - 24 | 2.09$ | 2.19$ |
25 - 25 | 1.97$ | 2.07$ |
Transistor canal N, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V - FQD30N06L. Transistor canal N, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.031 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 800pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 96A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 30N06L. Dissipation de puissance maxi: 44W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 17:25.
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