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Transistor canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, boîtier plastique 2mm × 2mm, 30 v - CSD17313Q2T

Transistor canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, boîtier plastique 2mm × 2mm, 30 v - CSD17313Q2T
Quantité HT TTC
1 - 4 2.81$ 2.95$
5 - 9 2.67$ 2.80$
10 - 24 2.53$ 2.66$
25 - 49 2.39$ 2.51$
50 - 90 2.33$ 2.45$
Quantité U.P
1 - 4 2.81$ 2.95$
5 - 9 2.67$ 2.80$
10 - 24 2.53$ 2.66$
25 - 49 2.39$ 2.51$
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Transistor canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, boîtier plastique 2mm × 2mm, 30 v - CSD17313Q2T. Transistor canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, boîtier plastique 2mm × 2mm, 30 v. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Boîtier: WSON6. Boîtier (selon fiche technique): boîtier plastique 2mm × 2mm. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 260pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. Nombre de connexions: 6. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 17W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 05:25.

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