Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.81$ | 2.95$ |
5 - 9 | 2.67$ | 2.80$ |
10 - 24 | 2.53$ | 2.66$ |
25 - 49 | 2.39$ | 2.51$ |
50 - 90 | 2.33$ | 2.45$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.81$ | 2.95$ |
5 - 9 | 2.67$ | 2.80$ |
10 - 24 | 2.53$ | 2.66$ |
25 - 49 | 2.39$ | 2.51$ |
50 - 90 | 2.33$ | 2.45$ |
Transistor canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, boîtier plastique 2mm × 2mm, 30 v - CSD17313Q2T. Transistor canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, boîtier plastique 2mm × 2mm, 30 v. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Boîtier: WSON6. Boîtier (selon fiche technique): boîtier plastique 2mm × 2mm. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 260pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. Nombre de connexions: 6. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 17W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 05:25.
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